
本文来自微信公众号: 芯东西 ,作者:刘煜,编辑:陈骏达,原文标题:《日赚43亿!三星太暴利了》
芯东西7月7日报道,三星电子今日公布2026年第二季度业绩指引,根据韩国企业会计准则(K-IFRS)预计,其今年第二季度合并营收约为171万亿韩元(约合人民币7601.44亿元),同比增长约129.3%;合并营业利润约为89.4万亿韩元(约合人民币3974.08亿元),同比增长约1810.3%,超过市场预期。该公司此季度业绩电话会议将于7月30日举行。
三星电子该季度业绩增势迅猛,横向对比全球存储行业龙头该公司业绩优势突出。
今年6月,增长势头同样强劲的美光科技刚突破万亿美元市值,据其公布的2026财年第三季度财报,按美国通用会计准则(GAAP)口径统计,该季度美光实现营业利润333.18亿美元(约合人民币2264.4亿元);而三星电子本季度披露的合并营业利润规模,远超美光这一最新财季业绩。

不过亮眼的业绩预期并未立刻带动股价走强。截至今日10点15左右,三星电子股价为29.55万韩元(约合人民币元1342.48元),下跌约7.08%,市值为2029.62万亿韩元(约合人民币9.02万亿元)。今年以来,该公司股价累计涨幅约182%。

三星电子业绩大幅回暖的支撑,部分来自该公司高端AI存储产品产品落地与持续技术迭代。
今年2月,三星电子HBM4已开始量产,并向客户发货商用产品;今年4月,三星电子存储业务执行副总裁金宰俊在该公司2026年第一季度财报电话会议上透露,三星电子现有HBM4产能已被全部预订,预计第三季度起HBM4营收占全部HBM业务收入比重将超过50%,全年HBM营收也将有一半来自HBM4。
HBM配套逻辑芯片需求释放,也带动三星电子晶圆代工业务迎来阶段性盈利。
据韩国半导体产业媒体BLOTER援引知情人士消息报道,三星电子晶圆代工事业部今年6月实现单月盈利,是2023年以来首次月度盈利;业内人士分析称,HBM基础裸片订单放量、4nm工艺良率显著提升,共同推动代工业务月度损益转正。
亮眼业绩背后,三星电子正持续加码下一代高端存储技术储备。
今年5月底,三星电子宣布其HBM4E样品已经开始向全球主要客户送样。该款产品可实现14Gbps的稳定引脚传输速率,性能最高可拓展至16Gbps。相较HBM4,其整体性能提升超20%,单堆栈内存带宽最高可达3.6TB/s。
工艺方面,该款HBM4E产品采用业界最先进的第六代10纳米级DRAM工艺(1c工艺),搭配三星电子晶圆代工4纳米逻辑基底芯片,可大幅提升HBM4E的工艺稳定性与量产可行性。
除HBM产品迭代外,三星电子在端侧AI移动存储领域也实现突破。
今年6月,三星电子宣布成功研发出业内速度最快的通用闪存存储(UFS 5.0)解决方案。三星UFS 5.0完全遵循JEDEC最新嵌入式存储接口规范,拥有行业顶尖传输带宽,峰值速率可达10.8GB/s。
这一新的存储方案可提供最高10.8GB/s的读取速度和最高达9.5GB/s的顺序写入速度,两项指标均为上一代UFS 4.1标准的2倍以上;同时,三星UFS 5.0的能效也得到提升,相较UFS 4.1能效提升超过40%。性能大幅提升后,端侧AI应用则可极速完成海量数据的存储与运算任务。
三星UFS 5.0采用超小型规格封装,整体尺寸仅7.5毫米×13毫米×0.9毫米,相比前代产品体积缩小16.7%。这一小巧的封装尺寸能提升手机、智能穿戴、XR设备等各类终端的内部空间利用率,给整机设计留出更高灵活度。
同时,三星电子计划于2026年第四季度启动UFS 5.0量产,将推出最高达1TB的多种容量版本,覆盖多类终端市场。
结语:龙头企业业绩显著受益,
高端量产节奏或决定行业格局
当前,存储芯片供需持续紧张,三星电子作为存储芯片龙头之一直接受益,给出了亮眼的单季财报业绩预期。
在AI算力与端侧智能终端双重需求拉动下,存储行业形成高带宽内存、高速嵌入式闪存双线技术迭代趋势。未来,厂商高端存储产品的研发与量产进度,也将持续影响企业盈利表现与行业整体供需格局。
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