Q2净利暴涨1324%，南亚科技毛利率逼近80%

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二季度净利暴涨1324%，毛利率近80%

具体来说，南亚科技第二季营收达到了新台币825.49亿元，同比暴涨约684%，环比大涨68.2%；营业毛利润为新台币656.19亿元；毛利率为79.5%，环比增长11.6个百分点，不仅刷新自身纪录，更是大幅超越晶圆代工龙头台积电的毛利率（Q1约66%）；营业利润为新台币608.26亿元，营业利润率为73.7%，环比增长12.4个百分点；营业外收入达新台币15.03亿元；税后净利润为新台币501.92亿元，同比暴增1324%，环比增长92.6%；净利润率为60.8%；每股收益为新台币14.66元。

累计2026年上半年营收达新台币1,316.36亿元，同比暴涨643%；税后净利润达新台币762.5亿元（上年同期为亏损60.43亿元新台币），每股收益为新台币23.38元，双双创下历史新高。

南亚科技总经理李培瑛在法说会上透露，由于二季度获利大幅提升，公司已上调季度绩效奖金，否则每股收益表现将更为亮眼。

在产品结构方面，南亚科技上半年应用于AI基础设施及服务器的产品营收占比已突破20%。公司同时持续供应DDR5、LPDDR5/5X、DDR4等多元产品以满足多元市场需求，并积极拓展定制化AI/WoW等附加值产品。

第三季DRAM价格将继续上涨

南亚科技二季度业绩的大涨，主要得益于DRAM合约价的持续上涨。财报显示，其第二季DRAM销售量虽然与上季持平，但平均售价（ASP）环比增长了超过60%。

瑞银（UBS）最新的报告预计DRAM第三季报价将环比增长32%，第四季将再涨18%。威刚董事长陈立白近日也确认表示，存储器原厂已通知今年三季度DRAM合约价将上涨20%至30%。

对此，李培瑛表示，无法确认市场预估的具体数字，但第三季价格确实高于第二季，后续售价仍将随市场供需变化进行调整，无法提供明确的涨幅预估。

AI正在改变DRAM景气循环特性

对于存储产业前景，李培瑛在法说会上给出了极为乐观的判断。他指出，AI正推动存储产业进入结构性成长阶段，正在逐步降低过去DRAM产业典型的景气循环波动特性。

从需求端来看，云端数据中心AI服务器及通用服务器需求同步强劲，大幅推升了HBM及服务器用RDIMM的需求；AI GPU、CPU及ASIC芯片的持续迭代，带动HBM、LPDDR5及DDR5需求大幅增长；AI基础设施建设也带动eSSD、SmartNIC与BMC采用更高容量、更高效能的DRAM，以因应高速数据处理、网络传输及系统管理需求。

这种强劲需求正对传统DRAM产能产生明显“排挤效应”。李培瑛指出，AI产品大量占用先进产能，挤压了手机、PC、车用及消费电子等所需的传统DRAM产品的供给，导致整体供应持续吃紧，并促使终端产品售价调整。

从供给端来看，李培瑛表示，上游供应商正积极扩充产能，并动态调整产品组合，提升高利润产品比重。这些新产能规划将依据客户的长期LTA需求，预期自2028年起逐步扩增。

李培瑛观察，以整体市场状况来看，目前仍是全面性缺货，并非局限于单一产品，尤其云端相关应用、HBM及高阻值（High-Resistance）产品需求尤为强劲，供给无法满足需求，带动价格持续上涨。此外，相关缺货效应也逐步扩散至其他市场，使整体DRAM市场普遍处于供应吃紧状态。预计全球DRAM供不应求的局面将延续至2028年。

在这样的背景之下，签署长期LTA成为了供需双方的共识。李培瑛表示，目前长期供货合约涵盖期间相当广，各类LTA合计约占南亚科技总产能的50%，未来将随着较短期合约陆续到期，逐步转换为期限更长的LTA，以提升供货稳定性与客户合作深度。

2027年资本支出将超2000亿新台币

为应对AI带来的旺盛需求，南亚科技宣布，今年全年资本支出预计将超过500亿新台币，2027年资本支出超过2000亿新台币（约合62亿美元），这一金额约为今年资本支出的四倍。相关预算仍待董事会核准。

这些资本支出将主要用于新厂建设、技术及产品研发投入：

新厂建设方面，南亚科技新建的5A晶圆厂将导入1C/1D纳米先进制程，预计于2026年下半年至年底完成无尘室与复杂的厂务设施准备，目标于2027年第一季开始装机，第一阶段规划于2028年达到月投片3万片，最终月产能规模可达4.5万片。新厂全面建置完成后，总资本支出约4800亿元，目前已投入接近1000亿元。

李培瑛预计，随着新产能逐步开出，公司2027年和2028年bit出货量将分别同比增长8%和53%。整体来看，南亚科技2026年至2028年整体产能将扩张约69%，为主要DRAM原厂中扩产幅度较高者之一。

技术研发方面，南亚科技1C制程产品已开始出货；1D制程已进入光罩制作阶段；1E制程及EUV技术研发均按计划推进。在AI应用布局上，南亚科技持续投入定制化存储开发，已导入晶圆对晶圆键合（Wafer-to-Wafer Bonding）技术，并采用3D IC、TSV等先进封装技术。

美韩存储大厂积极扩产

对于近期DRAM两大龙头厂商三星电子和SK海力士纷纷宣布扩大在韩国的产能投资的消息，李培瑛表示，两家公司规划在五年内将产能提升至目前的两倍，换算下来的平均每年增长15%的产能，再加上制程技术演进，整体产能增幅属于循序渐进、而非爆发式成长，这对整个产业供需是正面影响。

值得注意的是，另一家DRAM大厂美光也刚刚宣布将对美国的产能投资由原来的2000亿美元提高至2500亿美元，并向环球晶圆投资5亿美元。李培瑛认为，美光此举主要是配合美国当地建厂需求，提升在地供应能力。对南亚科技而言，公司目前已与中国台湾、日本及韩国等地的策略合作伙伴建立合作关系，并通过长期供货合约维持稳定供应。