做到全球第四之后，长鑫第一次让三巨头慌了？

本文来自微信公众号： 旧叔笔谈 ，作者：旧叔

10月10日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海举行，长鑫科技总裁曹堪宇在会上介绍了公司在DRAM器件、4F²架构和混合键合三个方向的进展，并预告年底推出采用这些技术的新一代DDR5服务器内存条。

作为中国存储市场顶流，近两年，长鑫的每一次动作，都能掀起资本市场一阵狂潮。而这一次，长鑫更是让全球存储三巨头股价集体下探。

10月13日，韩国综合股价指数收跌5.5%，SK海力士跌10%，三星电子跌7.4%；美股开盘后，美光跌约4%，创一个月新低，东京市场铠侠控股跌13%。

一家全球份额还在个位数的中国存储公司，靠一场技术预告便把垄断DRAM十余年的三家巨头同时“拉下水”。它预告了什么，巨头们又为什么反应这么大？

上海两天会议，首尔一天暴跌

曹堪宇这场演讲公布的细节，已相当具体地描绘出长鑫科技下一阶段的发展重点。

长鑫推出的新架构叫4F²，配套公司自研的VSG晶体管。VSG全称为垂直包围栅极，其做法是把平躺在硅片上的沟道竖起来，让栅极从四面围住，栅控更强，漏电更可控。

目前，围绕4F²，长鑫已公开300余项专利族。而早在2023年，长鑫就展示过8Gb全阵列研究样品。

值得注意的是，长鑫在产品落点上同样选得“硬”，它没有选择消费级内存，而是瞄准服务器用的DDR5 RDIMM，也就是带寄存器的服务器内存条，相关产品计划在年底推出。

长鑫预告演讲后，在技术圈还在消化长鑫的这些名词之际，资本市场迅速给出反应。

10月13日，SK海力士、三星电子、美光股价集体下跌，CNBC发文解释此次下跌便提到长鑫科技。

在CNBC看来，长鑫今年7月在上海科创板上市，首日股价飙升近466%，一度成为中国市值最高的上市公司，此后市场最关心的就是它能否缩小与美光、三星和SK海力士的技术差距，尤其是在HBM这个AI芯片的关键部件上。

此外，日经中文网对三巨头集体受挫的归因更直接，市场担心竞争加剧之后，美国和韩国企业的定价能力与毛利率都会被挤压。马斯克10月12日那句“中国一旦确立制造方法，扩大生产的能力将超过其他所有国家的总和”，也被日经列为打压市场情绪的因素。

当然，把三巨头这次的股价下跌全部指向长鑫的技术“威胁”显然过于简单。

瑞士联合私人银行分析师Bei Fu对彭博表示，投资者可能只是借长鑫的新消息在存储股大涨一年后了结利润。

独立投资研究机构晨星认为，长鑫若成功并提前把4F²用到生产上，竞争地位会大幅提升。但其发布产品距离良率足以赚钱的量产，中间还有很长一段时间。

4F²门槛，三巨头自己也在爬

要看懂长鑫4F²架构的分量，得先说清楚F是什么。

F是DRAM的特征尺寸，可以粗略理解为光刻机能画出的最细线宽，行业用一个存储单元占多少个F平方来衡量大小，目前主流是6F²。

4F²是把单元面积压缩到4个F平方，同样线宽下存储阵列能省出约三分之一的地盘，同一块硅片上多塞进三到五成的存储单元。再往下压在二维平面上已无空间，4F²因此被看作平面DRAM的密度极限，继续往上只能立体化，或者像3D NAND那样一层层堆叠。

不同于6F²采用水平沟道晶体管，4F²改用垂直包围栅晶体管（VSG），把原本“平躺”的晶体管“竖起来”，以此解决漏电和短沟道效应问题，这也是长鑫强调VSG栅极四面环绕的原因。

不过与直觉相悖的是，更先进的4F²与6F²相比并不代表更大的存储密度。只要4F²的线宽不超过6F²的约1.22倍，两者存储密度就能打平。

在此背景下，对拿得到EUV光刻机的厂商来说，4F²是省钱的办法，SK海力士有研究员算过，转向垂直栅或3D结构后EUV光刻成本可降到传统6F²的一半以下。

而对拿不到EUV的长鑫来说，这无疑是新赛道，公司买不到ASML的设备，用更密的单元换密度，是它在DUV设备上为数不多的路径。

需要指出，三家巨头在4F²上的进度，没有外界想象中那么靠前。

今年2月，三星在ISSCC会议上发表过一颗16Gb的4F²设计，同样用垂直沟道晶体管和晶圆对晶圆混合铜键合；今年4月，韩媒The Elec报道三星在亚10纳米的10a工艺上做出可工作的4F²裸片，量产目标定在2028年，不过后续韩媒报道让这个时间表变得有些模糊。

SK海力士今年则在VLSI会议上公布了4F²垂直栅极平台路线图，导入节点排在10b，比三星晚一代。至于美光，公开信息最少，其路线偏向直接押注3D DRAM。

整体来看，三家都在推进4F²，但没有一家实现大规模商用，这就是长鑫一句年底见到采用4F²架构的新一代DDR5服务器内存条能引发资本市场抛售三巨头的底层原因。

另外，长鑫产品落点选在服务器RDIMM还有一层“算计”。

长鑫起家做的是消费级内存和LPDDR，而服务器RDIMM是目前利润率最高的一块，也是韩国厂商最少遇到中国竞争的地方。

长鑫曲线，中国鲶鱼？

长鑫的起点算不上高，公司做DRAM满打满算才十年。公司2016年由合肥国资主导启动项目，2019年9月推出自主设计的8Gb DDR4，中国大陆的DRAM产业才算完成从零到一。

但从今年开始，长鑫步入资本快车道。

今年7月27日，长鑫科技登陆科创板，首日收涨465.82%，市值突破3.3万亿元，一度成为A股市值最高的公司，募资总额在超额配售选择权全额行使后达666.07亿元，超过中芯国际2020年创下的532亿元纪录。

AI掀起的全球性存储荒下，长鑫业绩也在同步跳涨，2026年一季度，公司营收约508亿元，同比增长719.13%，归母净利润约247.62亿元。

技术与稀缺之外，撑起长鑫估值的还有份额和产能两条曲线。

据Omdia统计，2025年四季度长鑫全球DRAM销售额份额为7.67%，位列全球第四，汇丰银行10月上旬的报告给出的数字是约10%，一年前约为4%。在产能上，长鑫已拥有合肥两座12英寸厂加北京亦庄一座厂，截至今年8月合计月产能约30万片晶圆。

尽管发展很快，但客观来看，长鑫目前与三巨头的差距同样摆在明面上。

公司主力出货的DDR5和LPDDR5X基于17纳米工艺量产，工艺水平落在韩厂两年前的位置，HBM产线2026年下半年才启动建设，尚未大规模量产。

晨星提到的时间差是真实的，服务器客户认证一款新内存以季度计，采用全新单元架构的产品会被逐项拆解，首批产品可能只在部分环节采用4F²，考虑到目前距2026年结束只剩十来周，长鑫的“年底见”既可能指样品进了某家云厂商的实验室，也可能指产品真正上了价目表。

只是在笔者看来，这次三巨头股价暴跌最值得记住的不是数字变化和弯道超车，而是定价对象的转变。

过去十年，中国存储厂商一直是被定价的一方，行业景气度、原厂报价、设备禁运每一项都由别人决定。现在，长鑫第一次站到能影响别人估值的位置，尽管这份影响还停留在预期层面。

DRAM行业四十年，后来者一直沿着前人的车辙前进，路线图和价格长期由三家原厂定。长鑫这次抢到的是一个不同的身位，它未必领先，却第一次让对手需要把它的技术进度写进自己的时间表。

《孙子兵法》有云，善战者，致人而不致于人，说的是真正会打仗的人能调动对手而不被对手调动。一场没有公布速率、容量、工艺节点和客户名单的技术演讲，就能让首尔和纽约的存储股集体重估，这本身已说明行业换了玩法。

剩下的，只有交给不看发布会的良率、产能与认证周期。