SK海力士正在评估采用台积电3纳米工艺生产第七代高带宽内存HBM4E的逻辑芯片。HBM4E是新一代高带宽内存技术,逻辑芯片制程升级将提升产品性能。台积电3纳米工艺是目前最先进的半导体制造技术之一。该合作评估涉及内存行业的技术路线选择。决策结果将影响HBM4E产品的量产时间和市场竞争力。