先进封装，台积电的另一把尖刀

本文来自微信公众号：远川研究所 （ID：caijingyanjiu），作者：何律衡，题图来自：视觉中国

2023年6月，苹果Apple Silicon最后一块拼图归位：新款Mac Pro换上M2 Ultra，英特尔彻底从苹果的Mac产品线消失。承担这一历史转折点的M2 Ultra，成为半导体产业关注的焦点：

这颗苹果有史以来面积最大的SoC，由两颗M2 Max芯片“缝合”而成，晶体管数量直接翻倍，达到了1340亿颗——作为对比，英伟达的RTX4090拥有763亿个晶体管，H100为800亿。

这块芯片背后，是一个名为UltraFusion的“缝合技术”。

当摩尔定律失效成为业内共识，制程提升的成本指数级飙升，提高制程已不再是高性能芯片增加晶体管数量的最佳选择。将两块芯片合二为一虽然听起来简单粗暴，但在苹果之前，失败的尝试不在少数。

此前，几乎所有的“缝合”方案，都无法解决芯片在连接过程中产生的损耗，使得性能往往“1+1<2”。而M2 Ultra却突破了这一天堑，实现了真正的1+1=2。

UltraFusion背后的功臣并不难猜，正是当前先进封装产能供不应求的台积电。

当业内还在热议英特尔修改命名缩短与台积电的差距，又或是台积电和三星谁将率先突破2nm时，台积电却早已凭借先进封装，走在竞争对手的前面，为灯枯油尽的摩尔定律续命。

为了实现这个1+1=2，台积电走了20年。

停滞20年的间距

2005年，伴随芯片制程迈入65nm大关，台积电在全球芯片代工市场中拿下了50%的份额，身后的竞争者似乎只剩下了苦苦追赶的三星，感觉大势已定的张忠谋宣布卸任CEO，退居二线，但时任台积电技术总裁蒋尚义却在思考一个问题：

过去十五年，芯片制程紧跟摩尔定律的路线图，从600nm一路狂奔到了65nm。但芯片之间封装的金属间距（Metal Pitch）却停留在110um，已经20年没有进步。

何为金属间距——一般我们拿到手的芯片（如CPU），其实是一个完整的芯片模组。严格意义上的芯片，是从晶圆上切割下来的裸片（Die）。

按照传统封装的步骤，需要将这些裸片放到基板（Sustrate）上，引出管脚/引线，再将其固定、封装进一个外壳中，才能应用于实际的电路中。

蒋尚义思考的金属间距，其实就是图中引线的间距，比如CPU和内存交换数据，就是依靠这些引线。理论上来说，引线数量越多，不同芯片间的连接效率就越高，整体性能也就越好。但由于引线是金属材质，一旦密度提升，功耗和发热也会越高。

在这个背景下，蒋尚义构想了一个大胆的方案：与其冒险增加引线的密度，不如把两块芯片封装在一个硅片上，由于物理距离更近，电信号传输中的延迟问题得到改善，金属材质带来的弊病也迎刃而解。

从“先封再拼”转变为“先拼再封”，前者如今被归类为传统封装，后者则是近几年大热的概念——“先进封装”。

但在当时，蒋尚义的构想在技术上过于大胆，而且缺乏商业上的可行性。

所谓摩尔定律，就是指每隔18-24个月，芯片上可容纳晶体管数量翻一番。几十年里，半导体产业遵照摩尔定律快速发展，从130nm到90nm，从65nm到40nm，仿佛游戏过关一样顺畅。

对于代工厂来说，相比芯片制程带来的性能提升，重金投入先进封装带来的性能进步，实在是性价比过低。加上蒋尚义在2006年就跟随张忠谋一起退休，先进封装方案并没有付诸实施。

但到了2009年，业内上下开始攻克28nm制程，工程师们才意识到了问题的严重性：晶体管单位制造成本不降反升，制程升级提升性能的性价比开始降低。

换句话说，摩尔定律正在失效。

28nm->20nm->14nm，晶体管单位制造成本上升；图源：IBS

同一时期，依靠移动终端市场的红利，三星从微不足道的竞争者迅速成长为台积电最大的竞争对手。

金融危机期间，中国台湾地区的面板和内存产业被三星的反周期屠刀相继斩落马下，击垮当时利润大幅下滑台积电并非没有可能。

2009年，张忠谋重新出山，并请回了已经退休的蒋尚义，希望后者带领台积电领先于业内实现28nm制程量产，重现130nm超越IBM的辉煌，并借此关键制程，搭上移动终端的末班车。

蒋尚义的回归，使得台积电两年后以“后闸级”技术路线成功超越三星率先量产28nm，而真正让台积电赢在了起跑线上的，是其回归时与“晶体管领先”一同向张忠谋提出的“先进封装”计划。

28nm制程，是摩尔定律死亡倒计时的开始，也是台积电先进封装的起点。

昂贵的进步

2009年，在张忠谋的首肯下，蒋尚义带着1亿美元的设备投资金和400多人的工程师团队，开始了先进封装技术的研发。但业内对台积电进军先进封装的反应却大多悲观。

半导体产业分为上游设计、中游制造、下游封装，封装环节技术长期进步缓慢，利润被摊薄，大多走薄利多销路线，台积电作为代工厂天然人工成本更高，在与封装厂的价格战中自然不具备优势。

另外，与同样“半路出家”研发先进封装的英特尔、三星相比，台积电的技术水平同样落后。例如当时引起关注的“扇出型晶圆级封装”，英特尔、三星分列专利数第二、三位，台积电甚至没进前十。

台积电的首个先进封装技术CoWoS，便是在这种氛围下诞生的。

CoWoS由CoW和oS组合而来：CoW表示Chip on Wafer，指裸片在晶圆上被拼装的过程，oS表示on Substrate，指在基板上被封装的过程——这也是蒋尚义在2006年提出的构想。

与其他类似的技术相比，台积电CoWoS的突出优势体现在连接裸片的方式：装载裸片的晶圆被台积电称为硅中介层，在硅中介层中，使用微凸块（ubmps）、重新布线（RDL）等技术，代替了传统引线键合用于裸片间连接，大大提高了互联密度以及数据传输带宽。

然而，初生的CoWoS一度处境尴尬。2011年，台积电得到FPGA大厂赛灵思订单，凭借CoWoS以及共同开发的硅通孔（TSV）等技术，成功将4个28nm FPGA芯片拼接在一起，推出了史上最大的FPGA芯片。

但这也是整个2011年，台积电先进封装项目组收到的唯一订单。

每个月50片晶圆的订单量，相对于烧掉几千片废片的研发投入来说，可谓杯水车薪，这是蒋尚义和台积电都没有想到的局面。

随后，台积电又找到了合作多年的亲密战友英伟达——由于GPU计算时需要频繁与内存通信，获取和存储数据，对延迟的容忍度更低，对带宽需求也更高。

因此，英伟达是蒋尚义在开发CoWoS时就确定的目标客户之一，但没想到英伟达同样意兴阑珊。

在一次与高通高管的午餐中，蒋尚义得到了一个意料之中的答案：CoWoS太贵了。

“我只愿意为这个技术花费1美分/平方毫米。”带着这句话，蒋尚义找到余振华，得到CoWoS目前的价格在7美分/平方毫米的回答，确认了这6倍的差距便是客户犹豫的原因。

如此大的成本差距，势必无法短时间内通过技术消弭。台积电决定给CoWoS做“减法”，开发廉价版的CoWoS技术。制造、封装经验丰富的余振华，很快交出了替代方案——InFO。

CoWoS技术之所以费钱，主要是由于硅中介层，其本质就是一片硅晶圆，还要在中间布线做连接，自然成本高昂。而InFO把硅中介层换成了其他材料，牺牲了连接密度，却换来了成本的大幅下降。

紧接着，台积电找到了那个位于美国西海岸，可以靠一己之力改变供应商命运的超级甲方：苹果。

苹果把单买了

2009年，三星决策层制定了一个秘密计划，李在镕准备利用金融危机彻底打垮中国台湾地区的电子产业，先打面板，再打内存，最后打垮台积电，让三星完全主宰东亚电子产业。

这个计划一度非常顺利，到2014年，中国台湾地区的面板和内存奄奄一息，台积电同样风雨飘摇——依靠从台积电挖来的梁孟松，三星率先量产14nm FinFET工艺，台积电的技术优势几乎一夜之间被抹平了。

技术落后最直接的打击体现在大客户订单。有先进制程打底，三星还凭借独家PoP封装技术，将内存芯片直接堆叠在SoC上方，从而大大减小了芯片面积，赢得了苹果自研移动SoC——A系列的超级大单。

对于移动SoC来说，由于设备大小的限制，加上大部分空间还要留给电池，对芯片的要求既有性能，还需要把芯片尽可能做小。

然而，从开始自研的A4到A9，从45nm到16nm，苹果发现，依靠制程升级缩小芯片越来越不具备性价比。三星的PoP封装方案，成为了在不升级制程的情况下，缩小芯片面积的最优解。

但与此同时，三星手机正在全球市场攻城略地，成为了苹果最大的竞争对手。2013年前后，苹果一边和三星打官司，一边把芯片订单向台积电倾斜。

在此背景下，缩小芯片效果和性价比都超越PoP封装的InFO，成为了台积电“被扶正”的转机。

2016年，搭载苹果最新A10移动SoC的iPhone 7上市，全部由台积电代工。在CPU速度较前代iPhone 6提高两倍多、内存容量提高一倍的情况下，机身厚度控制在了7.1毫米，是历代iPhone中第二薄的。

最重要的是，以上所有成就，均是在没有升级制程的情况下达成的。

有了苹果先行先试，曾因为价格问题迟疑不定的芯片大厂们终于放心大胆地上了车，英伟达、AMD、谷歌，甚至竞争对手英特尔，都在自家高性能芯片上用上了CoWoS封装。

2023年，AI芯片水涨船高，英伟达GPU对CoWoS的需求从年初预估的3万片暴涨至4.5万片，不得不提前加单。

然而，先进封装像潘多拉的盒子，多米诺骨牌效应才刚刚开始。半导体产业花费了几十年稳定下来的上下游分工模式，正在被缓慢松动。

中国大陆走到哪儿了？

长期以来，封装测试环节都是芯片产业链的底端，因此很早就从日韩向中国大陆转移。近十年来，封测已经成为中国大陆发展最快、目前最具优势的环节。

而当晶圆制造环节由于众所周知的原因，难以向14nm以下再进一步时，先进封装的出现，也一度被视为弯道超车的秘籍。

事实上，中国大陆的头部厂商在先进封装的开发上也并不落后。例如全球第三、中国大陆第一的封测厂长电科技，已经开发了2.5D/3D封装、晶圆级封装（WLP）、堆叠封装（PoP）等先进封装技术，覆盖面可追平日月光。

全球第五、中国大陆第二的通富微电，除了掌握2.5D/3D封装等技术外，还在收购了AMD两大封测厂后与其深度绑定，后者是目前先进封装的最大客户之一。

但有别于传统封装，先进封装固然提高了封测环节的附加值，但同样需要上游环节的配合。简单来说，传统封装的流程是晶圆厂将制造完成的芯片交由封测厂封装，彼此独立。

先进封装需要芯片设计公司、晶圆厂和封测厂在芯片设计阶段，就开始定制和研发制造工艺，联系更加紧密。

正是因为先进封装的关键技术需要芯片设计公司推动，在芯片制造层面实现，因此代工厂先天比封测厂更有优势，也被认为是最主要的玩家。封测厂更多承接技术难度低、靠近后道封装的部分。比如，台积电就将CoWoS的oS外包给了日月光。

中国大陆封测厂的弱势在于，由于工艺制程落后，代工厂本身就没有多少先进封装的订单，芯片设计公司提供的订单就更少了。

台积电的先进封装工艺拔地而起，是因为有苹果这个超级甲方的存在。理论上来说，海思可以扮演这个角色，但在因制裁而无法做先进芯片设计后，缺少了关键的推动者，中国大陆先进封装一度发展困难。

这就导致先进封装风口已现，但承担了全球封测近20%产能的中国大陆，却迟迟等不来指引航向的掌舵者。始于2018年的制裁，对半导体产业的影响，或许比预期中的还要深远。

参考资料

[1] 蒋尚义2022年3月采访速记，美国计算机历史博物馆

[2] 台积电的先进封装是这样炼成的，《天下杂志》

[3] 扶摇直上：台积电崛起之路，1973手机馆

[4] 苹果与台积电，过去十年最成功的芯片“搭档”？半导体行业观察

[5] 苹果iPhone 7 A10处理器的新封装在技术和商业上都产生了巨大的影响，Yole Department

[6] 先进封装第二部分：英特尔、台积电、三星、AMD、日月光、索尼、美光、SKHynix、YMTC、特斯拉和英伟达的选项/使用回顾，Semianalysis

[7] 微观视角看AI芯片，macropolo

[8] 苹果官网M系列芯片介绍

[9] 台积电官网3D Fabric介绍

本文来自微信公众号：远川研究所 （ID：caijingyanjiu），作者：何律衡