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中国各省在"十五五"期间围绕宽禁带半导体展开差异化竞争,通过政策补贴、技术突破和产能布局抢占万亿级市场先机,形成互补产业生态。 ## 1. 浙江:押注超宽禁带材料的前沿突破 - 全国唯一将氧化镓和金刚石写入规划,目标2030年集成电路产业营收4500亿元 - 提供晶圆制造最高25%固定资产投资补助、洁净室50%装修补助等罕见力度补贴 - 选择禁带宽度4.5-5eV的氧化镓作为"终极材料"突破方向,追求从0到1创新 ## 2. 湖北:实验室驱动的技术代差战略 - 以九峰山实验室为核心,国产氧化镓MOSFET击穿电压已达国际前沿的9000V - 形成"省级规划→实验室突破→国家资金"三级传导机制 - 不追求产能规模,专注化合物半导体材料关键技术突破速度 ## 3. 广东深圳:成熟制程的产能快速落地 - 宝安/龙岗区启动半导体专项补贴拨付,流片补贴最高50% - 覆盖设备投资、测试验证、用人成本等八大领域 - 务实推进SiC/GaN成熟制程产能建设,强化现有成本优势 ## 4. 中西部省份的错位竞争策略 - **四川**:特色工艺路线,晶圆流片补贴50%(单企年上限1000万)吸引设计企业 - **安徽**:聚焦存算一体/3D-DRAM架构创新,避开材料端直接竞争 - **甘肃武威**:投资413亿布局71个SiC衬底项目,以西部能源土地优势切入原材料供应 ## 5. 产业窗口期与竞争本质 - "十五五"是SiC/GaN商业化关键期,氧化镓工程化的最后机会窗口 - 省级竞赛呈现"多点支撑、差异互补"特征,非零和博弈 - 中国功率半导体自主格局正在通过地方特色路径加速成型
2026-05-09 14:58

浙江押注"烧钱"材料,湖北死磕实验室?6省"芯片路线"全解析

本文来自微信公众号: 芯师爷 ,作者:编辑部


2026年,"十五五"规划(2026-2030年)成为各省工业政策的主战场。宽禁带半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga₂O₃)等从"十三五"的探索期进入"十五五"的密集落地期。与五年前不同,这一轮政策不再停留于方向引导,而是伴随着真金白银的补贴、清晰的数字目标、以及明确的时间表。


一场围绕宽禁带半导体的省级竞赛,已经实质性启动。


"十五五"为什么是关键窗口


"十五五"对于宽禁带半导体而言,是一个特殊的政策节点。


从产业周期看,SiC/GaN正在从"替代品"变成"主流选择"。新能源汽车800V平台量产、AI服务器功率密度飙升、光伏储能加速渗透,这些应用场景的爆发正在将宽禁带半导体从"可选项"推升为"必选件"。如果"十五五"期间不能完成产业链基本搭建,中国将在这个万亿级市场上继续扮演追赶者。


从技术周期看,氧化镓等超宽禁带材料仍处于工程化早期,距离商业化批量应用还有距离。"十五五"正是给这些前沿材料完成中试、可靠性验证、部分场景导入的关键五年,押注晚了,就只能等下一代技术再来。


各省"十五五"政策深度拆解



浙江:押注"超宽禁带"


浙江是全国唯一将氧化镓和金刚石写入"十五五"新型工业化规划的省份。


《浙江省新型工业化规划》明确提出,到2030年全省集成电路产业营收目标4500亿元,并将氧化镓、金刚石、碳化硅、氮化镓并列为重点发展方向。这不是多赛道分散布局,而是明确押注"超宽禁带"这条最前沿、也最难走的路线——氧化镓禁带宽度约4.5-5eV,比SiC高出近四成,被认为是下一代功率半导体的"终极材料"。


配套政策力度罕见。杭州钱塘区对晶圆制造、半导体材料等制造业项目,按实际完成固定资产投资额最高给予25%补助,洁净室装修补助最高50%,研发投入补助最高30%。高强度补贴背后,是浙江希望在前沿材料上实现"从0到1"的突破。


湖北:技术突破优先于产能扩张


湖北的路线与浙江截然不同,不争产能规模,争的是技术突破的速度。


湖北"十五五"规划纲要将"先进化合物半导体材料"列为重点发展方向,九峰山实验室是这条路线的核心载体。2026年4月,九峰山实验室宣布基于国产同质外延片的氧化镓横向MOSFET击穿电压突破9000V,达到国际前沿水平。


政策传导链已经清晰:省级规划定方向→九峰山实验室出成果→国家项目配套资金。这种"政策-研发-产业"的三级传导,是湖北模式的核心特征。


广东深圳:补贴进入拨付阶段的务实派


如果说浙江押前沿、湖北攻技术,广东/深圳则专注于制造落地。


2026年二季度,深圳宝安区和龙岗区的半导体专项补贴进入实质性拨付阶段:


-宝安区:4月17日启动半导体与集成电路产业集群项目申报,窗口期截止5月19日,资金从文件进入拨付环节;


-龙岗区:3月发布覆盖重大项目投资、平台建设、芯片流片、测试验证、企业用人成本等八大领域的申报指南。


补贴方向非常明确,流片补贴最高50%,设备投资有补助,研发投入有配套,本质上是"谁先建成,谁先拿到钱"。


深圳的核心逻辑是不管材料有多前沿,先把产能建起来、把供应链跑通。一种务实但有效的路径,在SiC/GaN成熟制程上,中国企业已经有了一定的成本优势,政策继续推一把,加速替代进程。


四川:特色工艺的错位竞争


四川没有选择在SiC/GaN大产能上与东部省份正面竞争,而是走了特色工艺的错位路线。


四川"十五五"规划将化合物半导体特色工艺写入重点方向,对晶圆制造流片补贴最高50%,单个企业年度补贴总额最高1000万元。这个力度对于中小型设计企业而言具有实质吸引力。


(图源:四川科技报)


错位竞争的核心逻辑不在成熟赛道上硬碰硬,而是在细分领域建立不可替代性。成都的选择对于吸引西部半导体设计企业落地、形成区域特色产业集群,有明确的政策导向。


安徽:不争产能争架构


安徽的"十五五"规划同样写入了半导体,但方向与上述省份都不同——聚焦存算一体、3D-DRAM等新型架构。


这不是宽禁带材料的直接布局,而是更上游的芯片架构创新。安徽不参与SiC/GaN的产能竞赛,也不押注氧化镓的技术突破,而是选择在下一代存储与计算架构上建立卡位。


甘肃武威:西部的原材料攻势


甘肃武威以碳化硅原材料为切入点,目前有71个半导体相关项目落地,总投资413亿元,多个SiC衬底项目入选省级重点。


武威的逻辑不是做芯片、不是做器件,而是做最上游的衬底材料。这恰好避开了东部省份的产能竞争,同时接入全国宽禁带半导体的供应链体系。


(图源:天祝县官网)


西部发展半导体材料的优势在于能源成本低、土地资源充足、政策支持力度大。武威的布局说明,宽禁带半导体的竞争不只是东部省份的游戏,西部正在以原材料供应商的身份接入这条产业链。


写在最后


"十五五"开局之年,宽禁带半导体的省级竞赛不再是战略口号,而是写入规划、拨付资金、落地产线的实打实较量。浙江押注超宽禁带的前沿风险,湖北追求实验室突破的技术代差,深圳务实推进产能落地,安徽、成都、武威则各以错位竞争寻找细分赛道。


这场"卡位战"的本质,不是一省独大的零和游戏,而是多点支撑、差异化互补的产业生态重构。无论最终谁先跑通,中国功率半导体从追赶走向自主的格局,已然在"十五五"的规划图纸上加速成型。

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