复旦大学突破CFET晶体管技术，绕开EUV光刻工艺

芯片想要获得更好的性能，就必须拥有更多的晶体管，然而在某些特定的使用场景下，例如手机这种小型电子设备中，由于面积有限，所以需要芯片越小越好，那么这就需要在制造工艺上尽量缩小晶体管的尺寸。目前市面上已经量产的最高工艺制程的芯片是4nm，未来1-2年有望实现3nm，但是这些都是依靠荷兰ASML的EUV光刻机实现的，而复旦大学研发出异质三维叠层互补晶体管的技术，可以成功绕开EUV光刻机。