高通发布骁龙 835，或许明年的三星 Galaxy S8 充电将变得更疯狂

就在昨天（17 日）晚间，高通和三星宣布合作，将由三星生产下一代处理器——骁龙 835。骁龙 835 将采用三星的 10 纳米制造工艺，将芯片体积缩小 20%，并搭载全新的 Quick Charge 4（简称 QC 4.0）充电技术，实现在 15 分钟内充电 50%。

本次高通与三星合作的真正原因就是三星所拥有的 10 nm 加工技术，对此技术所带来的好处主要有三点：

* 减少高达 30% 的芯片尺寸

* 性能提升 27% 或高达 40% 的功耗降低

* 预计将会显著提升电池续航

对此，OEM 厂商将可以获得更多的机身内部空间，用以填充电池或其他配件，要知道苹果最新的 iPhone7／7Plus 去掉耳机孔的唯一目的就是让出机身内部空间，以此加入了相机模组、Taptic Engine 和一部分电池容量。

当然，用户其实并不太关心这些细节，但是骁龙 835 所带来的 QC 4.0 快充技术才是用户真正在意的。

Quick Charge 4 能在大约 15 分钟或更短时间内，充入高达 50% 的电池电量，从而满足了这样的需求。这样你就不再会一整天被充电电线所束缚。

——Alex Katouzian，Qualcomm Technologies, Inc.产品管理高级副总裁

全新的 QC 4.0 快充技术所带来的最大卖点就是更高的充电效率，据称与前代 QC 3.0 相比效率提升高达30%，虽然高通副总裁描述为 15 分钟内充电 50%，但是根据官方的描述现实，其可能会实现**充电 5 分钟，使用 5 小时**的效果。

并且在在这种高效充电的同时还能够更控制充电温度，防止过热。

另外或许是为了应对此前 Google 工程师对快充技术的吐槽，QC 4.0 还集成了对 USB Type-C 和 USB-PD 的支持。

可以猜测，骁龙 835 对高通来说将会是骁龙系列的下一代的旗舰处理器——当然也可能出现意外，因为本次十分有趣的并未采用以往的命名方式，跳过了骁龙 830，不知是否又有什么其他故事。

那么，对于三星来说这意味着什么？

首先，骁龙 835 已经投入生产之中，按照现在的时间来算骁龙 835 可能会首发在三星明年上半年发布的 Galaxy S8 上。

对于三星来说，刚刚经历 Galaxy Note 7 的召回问题，明年的 Galaxy S8 除了不容有失外，还需要一个足够的噱头来吸引用户购买。

而骁龙 835 就是一个足够的噱头，可以以此来吸引并刺激消费者的购买欲望。

并且，高通可能没有完全介绍骁龙 835 的全部技术。

去年，最火热的词就是 VR 技术，而骁龙 820 成功的搭载了这一技术并提供给了各大厂商，那么对于目前最火的人工智能、深度学习等词并未出现在本次的声明中。

然而外界不止一次传出，三星将会在 Galaxy S8 上搭载语音助手、深度学习等噱头。

所以笔者猜测，很可能能骁龙 835 其实对这类技术做出了优化，那么明年一众的国产手机可能将会拥有新的宣传点。

若真是如此，百家争鸣下的人工智能要是有智能来做出表情，或许会很尴尬吧？